在選擇適用于重型運輸車輛和其他數(shù)兆瓦級應用的SIC MOSFET時，設計人員需要考慮幾個重要因素，其中包括是否使用基于單元電池（也稱為電力電子構件或子模塊）的模塊化解決方案。
 
過去的單元電池中使用的功率半導體器件一直是1200V到1700V的硅IGBT。與低功率應用十分相似，在單元電池級別部署1700V SIC MOSFET可以提高其功率處理能力和電氣性能。1700V SIC MOSFET的開關損耗要低得多，因此可以增加開關頻率并大幅縮小每塊單元電池的尺寸。1700V的高阻斷電壓還可減少達到相同直流鏈路電壓所需的單元電池數(shù)量，最終在降低成本的同時提高系統(tǒng)可靠性。
 
設計人員還應評估SIC MOSFET的固有體二極管的穩(wěn)健性。在施加應力前后的漏-源極導通狀態(tài)電阻（RDSon）測試中，器件不應表現(xiàn)出明顯的變化。這對于確保它們在經過數(shù)小時的恒定正向電流應力后不會降級至關重要，因為器件會傳導反向電流，并在開關周期后對所有剩余能量進行換向。不同供應商供應的器件之間存在很大的差異，因此設計人員必須仔細檢查SIC MOSFET測試結果。許多器件表現(xiàn)出至少某種程度的降級，而另一些甚至可能變得不穩(wěn)定。若選擇不會降級的SIC MOSFET，則無需外部反并聯(lián)二極管，并可節(jié)省相關管芯成本和電源模塊的空間。
 
還可能存在一些與具有不同程度潛在不一致性的體二極管性能相關的挑戰(zhàn)，具體情況因器件而異。這可以通過使用可配置數(shù)字柵極驅動器調整SIC MOSFET的導通參數(shù)來解決。這些驅動器還可用于減輕SIC MOSFET更快開關速度的次級效應，包括噪聲和電磁干擾（EMI），以及由寄生電感和過熱引起的有限短路耐受時間和過壓。可配置數(shù)字柵極驅動技術已成為充分發(fā)揮SiC技術能力的關鍵。

本文關鍵詞：SIC MOSFET

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