良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測(cè)試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進(jìn)的網(wǎng)絡(luò)開發(fā)和商業(yè)化，但首先讓我們看一下當(dāng)前存儲(chǔ)器和新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn)，并了解為什么MRAM能夠立足出來(lái)。
 
非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的非存儲(chǔ)器技術(shù)與已建立的存儲(chǔ)器（SRAM，DRAM，NOR和NAND閃存）1的一些重要特性。
   
相變存儲(chǔ)器，例如英特爾的光電存儲(chǔ)器，比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器小(因此密度更大)，雖然沒(méi)有三維與非閃存那么大，但其性能介于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和與非閃存之間。這就是為什么Optane在NVMe固態(tài)硬盤和計(jì)算機(jī)內(nèi)存總線的內(nèi)存中銷售，以提供比NAND閃存更高性能的存儲(chǔ)層，或者在計(jì)算應(yīng)用中增加DRAM內(nèi)存。

鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)和電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)，就像獨(dú)立的MRAM一樣，多年來(lái)一直被用于特殊領(lǐng)域。FRAM的獨(dú)立存儲(chǔ)器一直是低密度產(chǎn)品，但最近關(guān)于使用氧化鉿的特殊相作為鐵電存儲(chǔ)器的發(fā)現(xiàn)給了這項(xiàng)技術(shù)更廣泛應(yīng)用的希望。電阻存儲(chǔ)器(包含許多不同的電阻技術(shù))有望繼續(xù)擴(kuò)展到非常小的存儲(chǔ)器尺寸，并可用于嵌入式存儲(chǔ)器應(yīng)用。然而嵌入式和獨(dú)立非易失性新興存儲(chǔ)器最有希望的可能是MRAM。
 
 
 
本文關(guān)鍵詞：MRAM  SRAM  非易失性存儲(chǔ)器

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