臺積電1.4納米級制造技術(shù)的開發(fā)正在順利進(jìn)行。臺積電強(qiáng)調(diào)使用其2納米級制造工藝的量產(chǎn)有望在2025年實現(xiàn)。
 
    隨著半導(dǎo)體工藝深入到5nm以下，制造的難度和成本日益增加。摩爾定律的物理極限大約在1nm左右，再往下就會面臨嚴(yán)重的量子隧穿難題，這將導(dǎo)致晶體管失效。各大廠商在實際尺寸上采用的先進(jìn)工藝仍有一定的余地，紙面上的1nm工藝仍可能存在。
     
    臺積電去年成立了一個團(tuán)隊來研發(fā)1.4nm工藝，CEO表示公司正在探索比1.4nm更先進(jìn)的工藝。1.4nm工藝是半導(dǎo)體行業(yè)追求的目標(biāo)之一，但將會面臨很大的挑戰(zhàn)。
 
    2nm工藝之后是14A，也就是1.4nm工藝，預(yù)計在2026年問世，再往后就是A10工藝，也就是1nm，預(yù)計在2028年問世。
 
    然而，實際量產(chǎn)時間可能會延后。在2nm節(jié)點之后，EUV光刻機(jī)需要進(jìn)行大規(guī)模升級，ASML預(yù)計在2026年推出下一代EXE:5000系列，采用HighNA技術(shù)提高光刻分辨率。但下一代EUV光刻機(jī)的售價將從1.5億美元上漲到4億美元以上，甚至可能會進(jìn)一步增加，這對制造商的成本控制能力提出了很大的考驗。
 
 
本文關(guān)鍵詞：1.4nm工藝

上一篇文章：智能開關(guān)控制語音識別芯片AT6811

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。