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閃存NOR FLASH介紹

2023-07-27 09:44:07

    NOR FLASH采用“或非”邏輯門電路,可被電子刪除和重編電子非易失性計(jì)算機(jī)存儲媒體。
 
    閃存(Flash)存儲單元為三端設(shè)備,即源極、漏極和柵極。由于柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層,浮置柵極中的電荷不會泄漏,因此閃存具有記憶力。
 
    NOR閃存擦除數(shù)據(jù)仍基于隧道效應(yīng)(電流從浮置柵極到硅底層),但在寫入數(shù)據(jù)時(shí)采用熱電子注入方法(電流從浮置柵極到源極)。在NOR閃存中,每個(gè)存儲模塊的一端連接到源極,另一端連接到類似NOR門的位線。
 
    NOR的XIP特性,應(yīng)用程序可以直接在Flash閃存中運(yùn)行,無需在系統(tǒng)RAM中查看代碼。NOR傳輸效率高,1-4MB體積小時(shí)成本效率高,但寫入和擦除速率低,對其特性影響很大。
 
    NOR FLASH屬于非易失性存儲,NOR讀取速度快,適用于可擦除寫入,作為代碼存儲的關(guān)鍵器件。
 
    NOR作為原始代碼的載體,廣泛應(yīng)用于各個(gè)智能行業(yè)。主板BIOS、數(shù)字機(jī)頂盒、家庭網(wǎng)關(guān)、路由器、loT、汽車電子、可穿戴設(shè)備、安全監(jiān)控、人工智能等方面。其中,智能可穿戴、AMOLED屏幕、手機(jī)攝像、lot設(shè)備、汽車電子、5G基站、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)、虛擬現(xiàn)實(shí)等都有很大的增長空間。


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