鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，F(xiàn)RAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進(jìn)行并口FRAM與SRAM的比較。
 
并口FRAM vs SRAM
 
具有并行接口的FRAM與電池備用SRAM兼容，可以替代SRAM。通過用FRAM代替SRAM，客戶可以期望以下優(yōu)勢(shì)。
 
1、降低總成本
 
使用SRAM的系統(tǒng)需要持續(xù)檢查電池狀態(tài)。如果用FRAM替換后，客戶可以從維護(hù)電池檢查的負(fù)擔(dān)中解放出來(lái)。此外，F(xiàn)RAM不需要電池插座和防回流二極管，同時(shí)省去二者的安裝空間。FRAM的單一芯片解決方案可以減少空間和成本。
免維護(hù)：無(wú)需更換電池
設(shè)備小型化：可以減少最終產(chǎn)品的元器件數(shù)量
 
2、環(huán)保產(chǎn)品
 
廢舊電池會(huì)成為工業(yè)廢料。通過用FRAM替換SRAM +電池，可以減少備用電池。
減少電池處理

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