MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力，能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度相結(jié)合，同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車、工業(yè)、軍事和太空應(yīng)用。
 
下面介紹一款Everspin非易失性256Kb串口mram存儲器MR25H256ACDF。
 
MR25H256ACDF是一個串口MRAM，內(nèi)存陣列邏輯組織為32Kx8，使用串行外圍接口(SPI)的片選(CS)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時(shí)鐘(SCK)四個引腳接口公共汽車。串行MRAM實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今SPIEEPROM和閃存組件通用的命令子集，允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進(jìn)行互操作。與可用的串行存儲器替代品相比，串行MRAM提供卓越的寫入速度、無限的耐用性、低待機(jī)和操作功率以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。MR25H256ACDF已發(fā)布量產(chǎn)，推薦用于所有新設(shè)計(jì)。關(guān)于更多產(chǎn)品信息可咨詢everspin代理，同時(shí)為客戶提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。
 
MR25H256ACDF特征
•無寫入延遲
•無限寫入耐久性
•數(shù)據(jù)保留超過20年
•斷電時(shí)自動數(shù)據(jù)保護(hù)
•塊寫保護(hù)
•快速、簡單的SPI接口，時(shí)鐘速率高達(dá)40MHz
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)和汽車1級和3級溫度
•提供8-DFN或8-DFNSmallFlagRoHS兼容封裝。
•直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM
•工業(yè)級和AEC-Q1001級和3級選項(xiàng)
•濕度敏感度MSL-3
 
電氣規(guī)格
該設(shè)備包含保護(hù)輸入免受高靜態(tài)電壓或電場損壞的電路；但是，建議采取正常預(yù)防措施，避免將任何高于最大額定電壓的電壓施加到這些高阻抗(Hi-Z)電路上。
 
該設(shè)備還包含對外部磁場的保護(hù)。應(yīng)采取預(yù)防措施以避免施加比最大額定值中規(guī)定的磁場強(qiáng)度更強(qiáng)的任何磁場。
 
 
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